生长气氛相关论文
本文介绍了Cr:MgSiO可调谐晶体最新的发展现状,给出了提拉法生长Cr:MgSiO晶体的生长工艺,指出氧化生长气氛可以有效地提高Cr:MgSiO......
该和Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长大尺寸ＣｓＩ（Ｔｌ）晶体，分别在真空及大气环境中做生长实验。晶体加工、封装后，测量它们的光产额及发光均匀性。实验结果表明，两种方法......
由碳的单个原子层构成的二维材料石墨烯，其电子能带在费米能级附近呈线性的色散关系，电子行为表现出相对论性粒子的性质。石墨烯在电......
该文在氟化物激光晶体生长方面完成如下一些工作：A.对天津大学生产的YAG-20型单晶生长系统的维修.B.BaF晶体生长.C.在Ar与CF混合气......
类石墨烯二硫化钼(Mo S2)因其独特的微观结构和光电性质,在克服零带隙石墨烯的切点同时依然具有石墨烯的很多优点,从而在太阳能电......
报道了在Ar与CF4混合气氛中成功地生成出高质量的Nd∶LiYF4晶体,并比较了在单一Ar气氛和Ar与CF4混合气氛中生长的LiYF4晶体的差别.......
Cr：Mg2SiO4晶体作为一种新的激光基质，以其独特的性能，引起了广泛的关注。在该晶体中，铬离子的分凝系数很小，因此在用提拉法生长的Cr：Mg2......
我们通过原料特定杂质去除的各种途径的研究，原料配制方法的研究，生长气氛的研究，合适的稳定的温场选择，晶体制备过程的保纯研究以及精......
本文研究了用无定形氮化硅超细粉原位生长α－Ｓｉ３Ｎ４晶须，晶须生长温度为１４００－－１４５０℃，恒温１－４ｈ。讨论了在晶须生长过程中，不同的保护气氛对晶须质量的影响。......
在不同性质的气氛下，用激光加热基座法，生长Ｔｉ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３单晶光纤，作了显微观察，拍摄了透视照片，同时对其钛离子浓度进行了光谱定量分析。并研究了不......
通过扫描电子显微镜和室温光荧光谱仪研究了生长气氛、缓冲层厚度、掺杂浓度不同对GaN薄膜发光特性的影响.实验证明,缓冲层可以较......
本文研究了生长气氛和生长速度在焰熔法金红石单晶体生长中的作用,对比了晶体在空气中与在氧气中退火的结果,测定了晶体试样的摇摆......
