电介质绝缘相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

电介质绝缘相关论文

超高速高精度模拟电路SOI上的5V互补SiGe BiCMOS技术

技术概览第三代完全电介质绝缘的互补SiGe BiCMOS工艺(BiCom3)是针对超高速高精度模拟集成电路而设计的.上述器件的工作电压为5V,......

期刊

超高速高精度模拟集成电路 SOI SIGE BICMOS 电介质绝缘

满足低功耗需求 BiCom-Ⅲ实现新一代应用

多年来,面对高性能模拟设计的要求,±15V、±8V等分离电源(split power supply)电压相继问世,最近又推出了±5V电压用......

期刊

BiCom-Ⅲ 低功耗模拟集成电路电介质绝缘硅锗工艺

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