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畸变NPN模型相关论文
评价功率VDMOS器件SEB效应的畸变NPN模型
构建了一个半径为0.05 μm的圆柱体,用于模拟单粒子辐射功率VDMOS器件的粒子径迹,且圆柱体内新生电子和新生空穴的数目沿圆柱体的......
期刊
功率VDMOS器件
单粒子烧毁
畸变NPN模型
耗尽区电场
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