单粒子烧毁相关论文
功率半导体领域高速发展和迭代,对其核心的功率半导体器件提出了更高性能、更高稳定性的要求。作为功率半导体器件的一员,碳化硅功......
针对宇航级功率集成电路中横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件抗单粒子辐射性能低的问题，开展了高压LDMOS抗单粒子效应加固技术的研......
VDMOS（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）是功率器件重要的组成部分,也是构成电源开关、DC-DC变换器的核心器件......
由于施加高栅极工作电压,使得器件容易发生重离子辐射损伤效应,其中,重大的重离子辐射损伤效应是单粒子栅穿效应（SEGR）和单粒子烧毁......
碳化硅（SiC）材料是禁带宽度为3.2 e V的半导体材料,SiC基器件凭借着其材料所带来的优秀性能,能突破硅基器件性能极限,因此在大功率、......
仿真研究了300 V抗辐射功率VDMOS器件在不同缓冲层浓度、不同LET值下单粒子烧毁(SEB)效应的温度特性.结果 表明,SEB的温度特性与LE......
第三代半导体碳化硅(Silicon Carbide,SiC)具有宽禁带、高临界电场、高热导率等优良的材料特性,SiC功率器件具有耐高温高压、低自......
在近些年,氮化镓(GaN)材料得到了大量的研究。作为第三代半导体材料的典型代表,GaN具有出色的性能,由GaN制成的器件得到了广泛的应......
建立了利用Cf裂片源,模拟空间重离子引起的单粒子烧毁、栅穿效应的实验方法和测试装置.开展了功率MOS器件、绝缘栅及极晶体管(IGBT......
建立了ＶＤＭＯＳ器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和参数提取方法，对器件的输出特性和单粒子烧毁效应机理进行了分析和模拟，模拟结果与文献中......
功率VDMOS器件是航天器电源系统配套的核心元器件之一,在重粒子辐射下会发生单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)效应,严重影响航天......
构建了一个半径为0.05 μm的圆柱体,用于模拟单粒子辐射功率VDMOS器件的粒子径迹,且圆柱体内新生电子和新生空穴的数目沿圆柱体的......
建立了功率MOS器件单粒子烧毁、栅穿效应的等效电路模型,介绍了模型参数提取方法.采用PSPICE电路模拟程序,对单粒子烧毁、栅穿效应......
针对SiC功率金属氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET）器件进行了抗辐照试验的研......
期刊
建立了2 5 2 Cf裂片源模拟空间重离子的单粒子烧毁 (SEB)和单粒子栅穿 (SEGR)效应的实验方法和测试装置 ,并利用该装置进行了功率M......
建立了功率ＭＯＳ器件单粒子烧毁，栅穿效应的等效电路模型，介绍了模型参数提取方法。采用ＰＳＰＩＣＥ电路模拟程序，对单粒子烧毁，栅穿效应机理进行了模拟......
报道了一种抗辐射功率MOSFET，通过与国外同类产品的锎源以及钴辐照试验对比，其抗总剂量水平和抗单粒子能力均已达到国际领先水平，并深......
设计了一种在线测试系统，用于监测垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管（VDMOS）器件在单粒子试验中的单粒子效应。简述了实验原理......
为了提升超结器件在空间辐照环境下的可靠性,针对额定电压为700 V的超结器件提出了一种新型结构.加固的结构在标准SJVDMOS平面栅的......
用束径0.4μm的微束重离子数值模拟了单粒子翻转SEU和单粒子烧毁效应SEB.单粒子翻转给出了不同离子注入后漏区的电压(电流)随时间......
建立了＾２５２Ｃｆ裂片源模拟空间重离子的单粒子烧毁和单粒子栅穿效应的实验方法和测试装置，并利用该装置进行了功率ＭＯＳ场效应晶体管的ＳＥＢ、ＳＥＧＲ效应研究......
本工作涉及利用^252Cf源进行辐射效应试验研究的方法。结合功率MOSFET器件单粒子烧毁测试技术，对功率MOSFET器件辐射效应进行模拟试......
新一代航天器需要使用耐高压、功率损耗低的第3代半导体SiC器件,为了给器件选用和抗辐射设计提供依据,以SiCMOSFET和SiC二极管为对......
超结器件打破了传统意义上的“硅极限”,具有优良的电学性能,有望代替常规功率MOSFET应用在空天飞行器电源等。然而,空天飞行器所......
研制了功率 MOS器件单粒子烧毁、单粒子栅穿辐照效应实验用的电流测量及电源系统 ,该系统由栅极电源电路、漏极电源电路、漏极 RC......
辐射效应是空间环境中导致宇航元器件功能失效及性能退化的重要因素,而单粒子效应是辐射效应的重要组成部分。当高能粒子入射处于......
在100~600V偏压下,对600,1 200,3 300V的SiC结势垒肖特基二极管用加速器产生的氙(Xe)和钽(Ta)重离子进行了辐照实验。结果表明,器......
通过二维TCAD仿真，对IGBT的单粒子入射作用过程做了原理性的分析，据此在理论上将单粒子对器件的作用进行了分类。针对阻断态、贯通烧......
阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿（SEGR）和单粒子烧毁（SEB）的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率......
总结了2种单粒子烧毁测试方法.在非破坏性测试原理基础上,研制成功针对星用功率MOSFET的单粒子烧毁动态测试系统.系统在锎源单粒子......
本文在分析了单粒子烧毁（Single Event Burnout，SEB）物理机制及相应仿真模型的基础上，首先研究了无缓冲层MOSFET准静态击穿特性曲线，明......
针对Xilinx FPGA在航天应用中的可行性,文章分析了Xilinx FPGA的结构以及空间辐射效应对FPGA的影响,结合实际工程实践给出了提高其......
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建立了利用252Cf裂片源,模拟空间重离子引起的单粒子烧毁、栅穿效应的实验方法和测试装置,开展了功率MOS器件、IGBT的单粒子烧毁、......
建立了功率ＭＯＳ器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法， 对功率ＭＯＳ器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析和ＰＳＰＩＣＥ模......
新一代航天器需要使用耐高压、功率损耗低的第3代半导体SiC器件,为了给器件选用和抗辐射设计提供依据,以SiC MOSFET和SiC二极管为......
4H-SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管（VDMOSFET）由于N型底部辅助层（NBAL）的引入,可以采用相对较小深宽比的超结结构,从而......
阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的......
应用半导体器件二维模拟软件Medici对功率MOSFET器件单粒子烧毁SEB(Single EventBurnout)效应开展了理论模拟研究。理论模拟与以往......
当前,随着我国航天器事业的快速发展,航天用户对星用、船用电源系统中的功率MOS晶体管需求量逐年增加。在航天环境下长期使用的功......
功率MOSFET器件在航空、航天等领域的电子学系统中，用作备用电源的功率开关、DC-DC电压变换器、信号发射机等多个部位的关键器件。......
针对国产功率MOSFET器件JTMCS081和JTMCS062，利用实验室的MOSFET器件单粒子烧毁试验测试系统，在252Cf模拟系统上开展了单粒子烧毁评......
期刊
文章利用回旋加速器产生的Kr离子，对双路输出的DC／DC电源变换器开展了单粒子效应试验研究，分析了在空载和加载两种偏置条件下的试验结......
对MOSFET功率管进行了16O、35Cl、79Br离子及高剥离态127I离子的单粒子烧毁(SEB)效应截面测量,得到了SEB截面相对于线性能量转移(L......
针对功率VDMOS器件抗单粒子辐射加固技术在空间辐射环境下的要求,从重粒子对VDMOS器件的辐射机理及作用过程出发,归纳出功率VDMOS......
利用252Cf源和60Coγ射线源对典型VDMOSFET进行单粒子效应和电离总剂量效应模拟试验,给出典型VDMOSFET的单粒子烧毁(SEB)、单粒子......
