直拉硅片相关论文
对不同氧含量的太阳电池用直拉硅片进行了磷扩散吸杂、铝吸杂及磷－铝联合吸杂的研究。采用准稳态光电导衰减法（QSSPCD）测试了吸杂前后......
本文采用红外扫描显微术研究了在不同退火条件对重掺锑直拉硅片中氧沉淀诱生缺陷的影响。实验发现重掺锑直拉硅片中的氧沉淀长大到......
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直拉硅片的内吸杂是通过合适的热处理工艺使氧沉淀过程仅发生在硅片体内,其产生的氧沉淀及其诱生缺陷[统称：体微缺陷(BMD)]吸除硅片......
