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针对局部产生应力的应变硅技术，本文采用高频PECVD方法，在硅基片上分别淀积不同厚度的氮化硅膜，通过商分辨XRD对以上样品进行摇摆率测......
本文用金纳米薄膜作为催化剂，在硅基片上利用激光分子束外延工艺自组织生长了ZnO纳米晶柱。 根据样品的形貌和成分分析结果，并对......
研究了射频反应磁控溅射制备ZrO2薄膜中，偏压对薄膜相结构及光学性能的影响。实验发现，随直流偏压的增加，在玻璃和单晶硅基片上淀积的......
本文用有限元法对不同钝化层的铝膜进行了应力模拟,同时采用光偏振相移干涉原理对硅基片上不同钝化层下的铝膜应力变化进行了研究.......
本文采用有机气体化学气相沉积法(CVD),在硅基片上沉积了碳纳米管薄膜并进行了场发射特性研究.结果表明,在电镀液中加入正硅酸乙酯......
TiCl、ZrOCl溶液水解后制得的TiO、ZrO溶胶（不含CT）与Pb(CHCOO)3HO溶液进行混合辅之以丙烯酰胺单体（AM）聚合形成的聚丙烯酰胺（PAM）作为吸......
该文主要以TiCl为原料，研究了制备TiO薄膜的工艺过程，并对薄膜的微观结构进行了TEM分析。TiCl加入尿素后加热水解，产生的沉淀经离心水......
采用空心阴极放电离子镀(HCD)技术，在硅基片上沉积Cr薄膜。用椭偏仪研究了Cr薄膜在大气环境里600°C的温度下，氧化层厚度随时间的变......
