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提出了通过ICP槽侧壁扩散和填充多晶硅注入推进相结合实现源与衬底连接的LDMOS器件结构,并利用该结构进行了LDMOS器件研制,获得了......
本文主要介绍了硅微波脉冲功率晶体管设计中应用的低热阻的均匀热分布技术、防二次击穿设计技术、多层难熔金属及双层金属化结构、......
南京电子器件研究所最近研制成功 L波段2 5 0 W宽带硅微波脉冲功率晶体管。该器件在 1 .2~ 1 .4GHz频带内 ,脉宽 1 5 0 μs,占空比 ......