稀释磁性半导体相关论文
采用高温溶剂合成法制备了稀释磁性半导体(DMS)PbMnSe纳米晶体(NCs).使用TEM和XANES测试手段对此DMS纳米晶体进行了表征.测试结果......
用真空蒸镀法制备了稀释磁性半导体Zn1-xFexSe多晶薄膜,用X射线衍射和电子扫描电镜测定了薄膜结构和成份.其光吸收数据表明:光学能......
Diluted ferromagnetic semiconductor（LaCa）（ZnMn）SbO isostructural to “1111” type iron pnictide superc
We report discovery of ferromagnetism in(LaCa)(ZnMn)SbO isostructural to the well-studied iron-based superconductor LaFe......
稀释磁性半导体(DMS),或半磁半导体(SMSC)是一类新型的半导体材料。它是以Ⅱ—Ⅵ族、Ⅳ—Ⅵ族、Ⅱ—Ⅴ族或Ⅲ—Ⅴ族化合物为基体,......
到目前为止,HgCdTe依然是最重要的红外材料,外延生长HgCdTe需要优质的衬底材料,因此,制备大面积、低缺陷密度、组分均匀的衬底成为......
本文采用脉冲激光沉积和溶胶-凝胶法成功地制备了CoxTi1-xO2薄膜和粉末样品。利用自旋回波核磁共振谱仪(NMR)、X射线光电子谱(......
稀释磁性半导体(dilutedmagneticsemiconductors,DMS)是指Ⅱ-Ⅴ族，Ⅱ-Ⅵ族Ⅲ-Ⅴ族或者Ⅳ-Ⅵ族化合物中，由磁性过波族金属离子或稀土......
自旋电子学的飞速发展及其在电子器件领域的实用性使得磁性半导体成为当前的研究热点。近些年来许多研究小组成功地制备出了具有室......
稀释磁性半导体材料是一种非常具有潜力的新型材料，因为它在同一材料中集合了光学、电学、磁学等性质。过渡金属的掺杂随机占据在品......
采用高温溶剂合成法制备了稀释磁性半导体(DMS)Pb0.954Mn0.046Se纳米晶体(NCs).使用TEM和XANES测试手段对此DMS纳米晶体进行了表征......
采用固相反应法,制备了不同成分的稀释磁性半导体Sn1-xMnxO2(x=0.02,0.04,0.06).利用x射线衍射和傅里叶变换红外光谱法证明了锰均......
期刊
ＣｄＭｎＴｅ是近年来出现的一种新型半导体材料，由于材料中含有磁性Ｍｎ＾２＋离子，所以又称之为稀释磁性半导体。它具有独特的磁学，光学，电学性质，同时也可用......
随着引入磁性元素,氧化锌最近被广泛用作磁性半导体.本文报告了Mg和Ni共掺杂的ZnO的纯相合成,并研究其结构、光学、磁性和光催化特......
综述了SnO2基稀释磁性半导体（SnO2-DMS）磁性的实验研究进展，包括3d过渡金属离子掺杂和非磁性离子掺杂；归纳了SnO2—DMS的磁性与掺杂离......
采用化学共沉淀法合成了稀释磁性半导体Zn1-xCoxO（z=0．01～0．42）纳米晶，X-射线衍射和红外光谱显示钴离子掺杂到氧化锌晶格中并替代了部分......
MnxCd1-xIn2Te4晶体是一种新型的四元稀磁半导体。有关MnxCd1-xIn2Te4稀磁半导体材料的研究非常有限。本文详细研究了该材料的制备......
Cd1-xMnxTe（CdMnTe,CMT）是制备光学隔离器、太阳能电池、x射线和γ射线探测器的优选材料。本实验采用垂直布里奇曼（VB）法成功地生长出C......
采用高温溶剂合成法制备了稀释磁性半导体(DMS)Pb0.954Mn0.046Se纳米晶体(NCs).使用TEM和XANES测试手段对此DMS纳米晶体进行了表征......
采用Bridgman法生长四元稀磁化合物半导体Mn0.22Cd0.78In2Te4晶体.当晶体生长到预定长度时,淬火得到固液界面.采用光学显微镜、扫......
采用双源热蒸发方法制备了纳米Zn1-xFexSe稀释磁性半导体薄膜,根据X射线衍射谱和Raman散射谱研究了薄膜的晶体结构和声子谱特征.结......
