等离子体充电损伤相关论文
本文研究了MOS器件的等离子体充电损伤,测试和比较了四种等离子体工艺后不同天线比的器件电学参数和击穿特性,主要的工作和研究成果......
等离子体工艺最初被引入集成电路制造时,人们就意识到等离子体损伤对器件的潜在威胁,进而通过大量试验研究损伤的机理以及避免损伤......
高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD),具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工......