紫外发光相关论文
在不同激光重复频率下用脉冲激光沉积方法(PLD)在Si (111)衬底上生长了ZnO薄膜, 以325 nm He-Cd激光器为激发源获得了薄膜的荧光光......
本文介绍了纳米ZnO具有体材料所不具备的表面效应和量子尺寸效应，从而产生了许多优异的光、电、磁等方面的性质，在光通讯、光存......
在很多研究中，退火是提高ZnO薄膜晶体质量和改善其发光性能的有效方法。研究了脉冲激光沉积法（PLD）方法制备的ZnO薄膜退火后的发光特......
采用水浴与光照相结合的方法制备了Ag／ZnO纳米复合结构，研究了不同Ag掺杂浓度对ZnO发光强度的影响。通过x射线衍射（xRD）、扫描电子显微......
稀土正硼酸盐(REBO3)晶体是一类潜在的紫外发光和非线性光学应用方面的材料,其中方解石结构的LuBO3:Ce3+晶体的光输出可达到26000 ......
如今防伪市场同质化现象严重,大多数产品为电码防伪、镭射防伪(俗称激光防伪)、防伪油墨等。电码防伪查询率低,在实践中发现有回收......
研究了ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ双异质结构（ＤＨ）蓝光发光二极管（ＬＥＤ）的电学和光学性质。实验表明，器件正向偏压下的Ｉ－Ｖ特性偏离了ｐｎ结二极管的肖克莱模型的结果，并且载流子的......
由我校材料科学研究所承担的国家 863计划“ＧａＮ基蓝光材料生长及ＬＥＤ器件研制”项目 ,于 2 0 0 0年 12月 4日一次性通过 863新材料领域专......
日本东京燃气公司用金刚石晶体制备发光二极管（LED）的基本结构—pn结，使注入电流的高效室温紫外发光获得成功。该LED是将优质的金刚石......
日本科学技术振兴事业团在世界率先研制成功使用透明氧化物的紫外发光二极管。很久以前，透明氧化物导电体ITO（氧化铟锡）就已实用化，作......
南昌大学成功研制出国内第一只紫外发光二极管。 发光二极管是一种光电子器件,紫外发光二级管的光子能量大于红、绿、蓝光二极管。......
加拿大Bivar公司最近研制成功了一种大功率紫外发光二极管 (LED)。该LED以多芯片和组合阵列器件构成。LED每块芯片的标准辐射通量......
美国研究者研制出一种基于碳化硅的雪崩光电二极管,对250-370 nm的紫外波段敏感。可用此管进行室温单光子计数。此装置基于4H-SiC......
不同方法制备的ZnO薄膜紫外光激射原理主要有两种：微谐振腔发光和随机发光测试。测量了脉冲激光沉积和热氧化法制备的ZnO薄膜在同等......
研究了KrF准分子激光辐照对ZnO薄膜的本征缺陷.紫外(UV)发光以及表面形貌的影响,并对室温下ZnO的UV发射机理进行了详细探讨.结果表......
采用化学溶液法在氧化铟锡(ITO)衬底上合成ZnO纳米棒,以不同的速度将无定形SiO2材料旋涂于ZnO纳米棒,制备了结构为ITO/ZnO/ZnO纳米......
利用溶胶-凝胶旋转涂膜法在耐热玻璃衬底上制备了不同膜厚的Na/Mg共掺ZnO薄膜。重点研究了膜厚对Na/Mg共掺ZnO薄膜结构和光学特性......
光纤制造成本的差异性受技术工艺的影响越来越小,所以通过设备改造升级,使用新型的紫外固化方式,成为降低光纤生产成本的一个重要......
Er3+掺杂的NaYF4荧光粉可通过水热法制备而成.X射线衍射仪，扫描电子显微镜和荧光光谱仪可以用来表征得到的产物.在480 nm的单波......
近年来,人们对高亮度、小型化、节能环保型LED的需求不断提升,其在显示照明等领域展现了巨大的应用潜力。在许多LED器件中,以应用G......
有机发光二极管（OLED）作为新一代冷光源,有着低成本、效率高、视角广、对比度大、响应快速、可柔性制造等诸多优点,在照明和显示技术......
采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备Ga2O3/Nb薄膜,然后在900°C下于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线。用X射线衍射(XRD)、透射......
采用聚硅氮烷前驱体在高温常压下热裂解的方法制备了3C-SiC纳米棒,在室温下观察到来自纳米棒的378nm(3.3eV)强紫外发射.利用扫描电......
利用射频磁控溅射结合水热生长两步法制备了均匀致密分布的ZnO纳米晶薄膜,并利用碳纳米管阵列场发射阴极测试了其场电子激励下的发......
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制备出高度c轴取向的ZnO薄膜。运用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)、拉曼光谱(Raman)......
据《蒙特里尔日报》报导,发光体——发光矿物的探测是一项新技术。采用激光感生荧光可以从直升飞机上探测矿物。加拿大Scintrex有......
研究了直流溅射ＺｎＯ薄膜在阴极射线激发下紫外光（约３９０ｎｍ）和绿光（约５２０ｎｍ）的发光与激发电子束电流密度的关系，随激发电流密度增加绿光相对下降，紫外光相......
本文说明了探找新型闪烁体将得益于文献中关于发光物质的大量数据和对这些材料的洞察力。本文给出了一些实例,探找效率将会有实质......
采用脉冲激光沉积方法在单晶Si(100)衬底上制备出c轴取向的Zn1-xMgxO单晶薄膜,通过荧光光谱仪研究了薄膜的光致发光特性.实验结果......
采用射频磁控溅射法,在石英衬底上制备了Zn1-xMgxO(x=0.00～0.16)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光......
采用脉冲激光沉积技术,在Si(111)衬底上成功制备出不同含量Na,Co共掺的ZnO薄膜.利用X射线衍射仪、原子力显微镜、荧光光谱仪以及四......
采用溶胶凝胶法在玻璃基片上制备了ZnO及Ni,Fe共掺杂的Zn_(0.95-x)Ni_(0.05)5Fe_xO(x=0,0.005,0.01,0.03,0.05)薄膜.通过扫描电镜(......
本文对采用湿化学方法合成的ZnO纳米棒样品的拉曼光谱和发光光谱进行了研究。由扫描电镜结果可知,合成的ZnO纳米棒具有很好的尺寸......
在不同的环境氧压下用脉冲激光沉积方法在Si(111)衬底上生长了ZnO薄膜,以325 nm He-Cd激光器为激发源获得了薄膜的荧光光谱以研究......
使用稀土元素Tb作催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,成功制备出GaN纳米棒.X射线衍射测试显示,GaN纳米棒具有六方......
本发明所述荧光灯的发光光谱处于可见光及紫外光范围内。众所周知,用在可见光及 UVA 范围内给出连续光谱的混合荧光粉制灯的方法......
据《Laser Focus World》1993,2(5)报道:日本Anan Tokushima.Nichia化学工业公司Shuji Nakamara等人研制出一种峰值波长在411～420n......
测量了在25K下经剂量为5Gy的X射线辐照的两组氧化锌(ZnO)晶体在25～280K范围内的热释光发光光谱。结果表明:ZnO晶体的低温热释光光谱......
利用热蒸发Zn粉的方法,在Au/掺铝氧化锌(AZO)/石英衬底上生长ZnO纳米结构。为了研究不同温度退火后的衬底对生长的ZnO纳米结构的影......
