对1．2μ薄膜全耗尽SOI CMOS(TFD SOI CMOS)器件和电路进行了研究，硅膜厚度为80nm。器件采用LDD结构，以提高击穿电压、抑制断沟道效应......

本文对全耗尽CMOS/SOI 2000门门海进行了研究,阵列采用宏单元结构,每个宏单元包括2×8个基本单元和8条布线通道,其尺寸为:92μ......