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高精电子器件的发展是国际科研竞争的重要前沿。目前硅基电子器件的工艺和集成度已经无法满足微纳级别电子元器件的需求。因此,发......
石墨烯具有新奇的物理性质,将其进行裁剪,可以得到一维的石墨烯纳米带或零维的纳米石墨烯,两者统称为石墨烯纳米结构。由于量子尺......
维度效应是凝聚态体系的一种本征性质.对局域维度的调控,将改变凝聚态体系的对称性,从而深刻地影响其物理性质。扫描探针显微学可......
现有的表面共价有机网格都是用含有芳香骨架的单体通过偶联反应制备的，仅仅通过改变芳香骨架的形状来调整网格的周期性，这有一定的局......
表面合成广泛地应用于不同基底上二维功能性单分子层的构筑.1本文首次在固/液界面处合成出了苯并噻唑衍生物的自组装单分子层.通过......
随着便携式和柔性可穿戴电子设备的广泛研究及应用，人们对功能性的高能量储能器件需求日益激增。超级电容器(SCs)具有快的充放电速......
癌症是世界上主要的死亡原因之一，为了降低癌症的死亡率，癌症的早期诊断至关重要。肿瘤细胞检测是实现癌症早期诊断的主要手段之一，但......
“自下而上”的表面合成法为合成低维功能碳纳米材料提供了新方法。与溶液中的有机化学反应相比,表面合成中有机分子的反应在二维......
表面在位化学的发展，为理解调控表面反应的物理和化学过程提供了理想的工具。表面反应是通过特定分子在表面通过共价连接形成稳......
磁性碳纳米管是一种复合材料，具有碳纳米管的高比表面积以及磁性材料的快速分离的特点。本文采用抗原决定基印迹方法，利用蛋白质......
表面合成是近些年来新兴的研究领域之一,它是利用固体表面的化学反应来合成各种功能化纳米材料。与传统的溶液化学合成相比,表面合......
结合密度泛函原理和高分辨原子力显微镜实验,研究了有机物在绝缘表面上的反应机理。这个研究主要是关于有机分子对碘苯甲酸(IBA)在......
在合成Beta分子筛晶种的基础上，研究了管状莫来石支撑体上Beta分子筛膜的制备．采用硅溶胶为硅源，偏铝酸钠为铝源，溶胶配比为n(SiO2)：n(A......
本文采用电解液微弧碳氮化技术在Ti6Al4V合金表面合成了纳米结晶多微孔的Ti(CxN(1-x))改性层,探讨了电解液组成及电参数对改性层形......
首次采用气相转移法在多孔管状莫来石支撑体外表面合成了ETS-4 分子筛膜。讨论了成膜次数、合成时间、晶种引入等因素对膜合成的影......
本文采用表面印迹技术,在水相体系条件下,以2,4-二硝基苯酚为模板分子,以硅胶为载体,在其表面合成了2,4-二硝基苯酚分子印迹聚合物......
在纹理合成领域,基于样图的曲面纹理合成是现在研究的热点,如何在任意的多边形表面实时的生成无接缝的没有变形的纹理成为一个关注......
作为膜分离的一个重要分支,渗透汽化受到了许多学者的研究关注。中空纤维式膜组件与其他形式的膜组件相比,具有成本低、填充率高、......
含有咔唑骨架的有机分子被广泛应用于各种药物分子和光电材料中。如何高效合成特殊性能的咔唑衍生物一直是有机合成、药物化学和材......
一、主要技术内容rn使用高润滑性和高耐磨性的全新的表面合成固体润滑(FeS)材料的碳钢轴瓦现已付诸应用.它不仅打破了碳钢不能做轴......
“自下而上”的纳米结构制备法是一种在原子或分子水平上构筑纳米结构的方法；相比于“自上而下”的蚀刻技术，其可实现更小尺寸的半导......
以聚苯乙烯(PS)单分散微球为模板,利用表面化学沉积,在PS微球表面合成了CdSe纳米晶.透射电子显微镜(TEM)观察发现,CdSe纳米晶以岛......
Multi-arc ion plating method was employed to coat TiNi alloys with Ta in order to improve radiopacity and corrosion resi......
准一维的碳基材料是未来制作分子器件的候选材料,它既可以作为功能器件部分也可以作为器件的连接导线。石墨烯纳米带是准一维的碳......
在固体表面以原子级精度制备功能纳米结构,是现代纳米技术发展的重要突破。这一方法采用自下而上的方式构筑功能纳米结构,近年来广......
与包含氟的符号的悬挂的组一起的新奇氟化的聚氨酯(协处理器) 被作为一个链扩展程序作为一个难片断和 1,4-butanodiol (BDO ) 把氟......
Alumina (Al2O3) particles reinforced copper matrix surface composites were fabricated on the bronze substrate using the ......
利用"自下而上"的合成方法在表面构建不同的功能化纳米结构是目前表面化学领域的研究热点之一.为了实现对合成纳米结构的精确控制,......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
