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载流了浓度相关论文
4H-Si1-yCy合金的生长及特性
本文用化学气相淀积(CVD)的方法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显......
会议
化学气相淀积
4H-Si1-yCy合金
同质外延生长
电化学腐蚀电容电压
载流了浓度
n型导电
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