迁移率晶体管相关论文
在化合物半导体电子器件中,高电子迁移率晶体管(HEMT)是应用于高频大功率场合最主要的器件形式。基于GaN及相关Ⅲ族氮化物材料(AlN......
本文设计了一种具有双AlN插入层的AlGaN/AlNa/GaN/AlNb/GaNHEMT结构材料,用以提高沟道对二维电子气的限制作用、改善材料的电学性......
我们用聚焦离子束(FIB)和变形电子束(EB)混合光刻工艺加工了高电子迁移率晶体管(HEMT)的蘑菇栅结构。在这项工艺中,先用FIB光刻将......
