邻近效应校正相关论文
文章重点介绍应用于标准参考物质样品制造的线曝光图形处理技术、电子束与光学曝光混合光刻技术、高反差高分辨率电子抗蚀剂HSQ工......
通过预先建立校正过程中需要的各种规则表,校正过程中需要的参数通过查表获得,快速、准确地实现用电子束曝光技术加工MEMS微器件中......
集成电路特征线宽不断减小的趋势和MEMS技术制备三维微结构的要求,都需要通过采用适当的方法对电子束光刻技术中由电子的散射引起......
通过蒙特卡罗模拟方法研究电子散射过程,探讨邻近效应产生机理并寻求有效的邻近效应校正途径.实验结果表明:邻近效应现象是一种综......
光学光刻中的邻近效应杰严重降低光刻图形的质量，是妨碍大规模集成电路高集成度发展的一个重要原因，光学邻近校正已成为亚微米光刻掩......
电子束曝光技术是微纳加工技术研究与开发应用的关键技术，在微电子、微光学、微机械等微纳米加工领域有着广泛的应用前景。实现该技......
纳米压印光刻技术是近年来出现的一种新型微细加工技术，也是下一代光刻技术的候选者之一。采用纳米压印光刻技术进行纳米器件研究也......
电子束光刻技术在集成电路光掩模制造领域具有不可替代的作用，同时也是纳米电子学、纳米光学以及低维人工量子结构制作等纳米科学研......
2008年6月在甘肃省张掖市开展的天—空—地同步大型遥感实验"黑河综合遥感联合实验"中,用自己设计的装置在兰州大学草地观测站开展......
对低能电子在光刻胶和衬底中的复杂散射过程进行分析和物理建模,采用Monte Carlo方法进行模拟研究。利用Browning拟合公式来解决Mo......
针对X射线自支撑透射光栅在多能点单色成像光栅谱仪中的应用,采用电子束和光学匹配曝光、微电镀和高密度等离子体刻蚀技术,成功制......
针对三维曝光图形的结构特点,结合重复增量扫描方式,分别从水平和深度两个方向进行邻近效应校正.水平方向通过预先建立校正过程中......
为了制备高线密度X射线透射光栅掩模，分析了电子束光刻中场拼接对高线密度光栅图形的影响；利用几何校正技术和低灵敏度的950k的PMMA......
提出了实现电子束光刻的快速邻近效应校正的分级模型.首先利用矩阵实现内部最大矩形和顶点矩形的快速替换,然后对内部最大矩形和顶......
本文利用双高斯形式的邻近函数来表达电子束在抗蚀剂中能量的分布,并以邻近函数为基础计算一些简单图形在曝光时所需的尺寸改变量......
对分辨率极高的电子束光刻技术和高选择比、高各向异性度的ICP刻蚀技术进行了研究，形成一套以负性化学放大胶SAL-601为电子抗蚀剂的......
通过蒙特卡罗模拟方法研究电子散射过程，探讨邻近效应产生机理并寻求有效的邻近效应校正途径。实验结果表明：邻近效应现象是一种综合......
本文研究了基于形状修正的电子束光刻分级邻近效应校正技术,在内部邻近效应校正的基础上,在计算图形之间产生的相互邻近效应过程中......
以光子晶体Fabry-Perot腔为例，提出了全电子束光刻制作光子晶体波导器件的解决方案．曝光光子晶体区域时采用较小的曝光步长，同时引入......
准确提取电子散射参数是确保纳米级电子柬光刻邻近效应校正精度的关键。采用了一种不基于线宽测量和非线性曲线拟合的电子散射参数......
针对X射线自支撑透射光栅在多能点单色成像光栅谱仪中的应用，采用电子束和光学匹配曝光、微电镀和高密度等离子体刻蚀技术，成功制备......
研究了基于图形几何尺寸修正的电子束光刻的内部邻近效应校正技术,利用累积分布函数预先进行内部最大矩形和顶点矩形的快速计算,并......
以光子晶体Fabry-Perot腔为例,提出了全电子束光刻制作光子晶体波导器件的解决方案.曝光光子晶体区域时采用较小的曝光步长,同时引......
微细加工技术是制备超大规模集成电路的关键技术,随着集成电路特征尺寸的不断减小和三维微结构制造要求的不断提高,对分辨率的要求......
