量子势垒相关论文
氮化镓（Gallium Nitride,GaN）基半导体激光器（Laser Diode,LDs）具有寿命长、成本低、重量轻等优点,广泛应用于激光光源、数据储存、全......
随着科技的不断进步,深紫外波段的半导体激光器有望应用于光存储、军事医疗、卫星通信、杀菌消毒、分析仪器等领域。在全球新冠疫......
语音不仅是人与人之间信息的沟通的媒介,也携人自身与众不同的特征,同时也具有共性及各自独立的变性等特征。声纹特征是一种生物特......
氮化镓(Gallium Nitride,GaN)是一种宽禁带、直接带隙半导体材料,常温下GaN的禁带宽度大约为3.4 eV。并且GaN基材料带隙宽度可调,......
针对AlGaN基多量子阱中有效的平衡载流子注入问题,研究了有源区势垒层中Al组分调制形成的非规则H形量子势垒对AlGaN基深紫外发光二......
ZnO化合物作为第三代宽禁带半导体，在宽带隙半导体发光器件领域具有重要的应用前景，从上世纪九十年代起，重新受到国际的高度关注。近......
为减少发光量子阱区的缺陷,缓解量子阱区的应力,减小极化效应,提高量子阱结晶质量,本文将n-AlInGaN作为非对称电荷谐振隧道(CART)......
硅作为场发射阴极成为可能，硅的场发射研究又重新引起人们的重视．该文将半导体表面的能带弯曲视为一势阱，从而建立了表面势阱作用下硅......
用ＭＯＣＶＤ生长发射波长为８０８ｎｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱激光器材料。通过在激光器材料的波导中加入多量子势垒（ＭＱＢ）层，有效地限制电子在阱内的复合以及高能电子溢出阱......
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本文把今日的光障问题与过去的声障问题作了比较,认为可压缩流体力学可用在超光速研究中,空气动力学发展对突破光障有参考作用。在......
