量子限制斯塔克效应相关论文
光学带隙或禁带宽度是半导体材料的一个重要特征参数.?本文以3个具有代表性的InGaN/GaN多量子阱结构作为研究对象,?深入探讨了荧光......
凭借其优越的光学性质,胶体半导体纳米材料在显示、荧光标记和微腔激光器等领域有着巨大的应用潜力。厚的无机宽禁带壳层（约11个单......
InGaN/GaN量子阱已被广泛应用于蓝色、绿色甚至黄色光谱范围的发光二极管（LEDs）和激光器二极管（LDs）。但是,当发射波长从蓝光转变到绿......
随着信息技术和互联网经济的飞速发展,新的技术和应用不断出现,大数据、物联网、云计算等产业的壮大使得人们对数据传输技术的带宽......
使用金属有机化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)方法生长了三个具有不同垒层温度的InGaN/GaN量子阱。......
GaN基光电子器件是当今半导体光电子领域的科学研究和产业发展的热点。其中GaN基发光二极管(LED)、激光二极管(LD)在固态照明、宽......
GaN基激光器(LD)和发光二极管(LED)在固态照明，宽带激光通讯，大容量光存储，激光电视等方面有巨大的市场需求和广泛的应用。GaN基半导......
介绍了自电光效应器件（SEED）的基本结构及工作原理,通过对其等效电阻-电容（RC）模型的分析,得出SEED电压-时间（V-t）特性及电压-半径（V-r）扩......
红外探测是现代探测技术的一个重要发展方向,它极大地拓展了人类认知自然和宇宙的视野。而红外探测器作为红外探测的核心技术之一,......
太赫兹（THz）科学的发展是由太赫兹源不断推动的，随着量子级联激光器等强太赫兹源的发展，使得实验上探索强太赫兹场下的物理性质成为可......
氮化物体系LED由于存在大的极化效应，量子限制斯塔克效应显著，即量子阱的能带发生倾斜，电子和空穴在空间分离，辐射复合效率下降。通过......
