锆钛酸铅(PZT)薄膜具有优良的介电、铁电、压电和光电特性，且抗辐射性强，不挥发，已广泛地应用于微电子，集成光学和微机械系统(MEMS)等......

本文采用溶胶凝胶方法制备了(100)织构的锆钛酸铅(Pb (Zr_(0.52) Ti_(0.48) )O_3，PZT )薄膜。利用广角X射线衍射技术研究了PZT薄膜......

铁电薄膜,由于具有良好的力电耦合性能,在过去二十年里广泛应用于高压电容器、传感器和铁电场效应晶体管等。然而,当铁电薄膜用于......

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将铌镁酸钡(Ba(Mg1/3Nb2/3)O3,BMN)作为缓冲层,通过溶胶-凝胶法制备了锆钛酸铅(Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,PZT)铁电薄膜。探究BMN缓冲层......

印迹(Imprint)是造成铁电存储器失效的一个重要因素,通过分析不同厚度的PZT薄膜电容的界面层后认为,造成印迹的原因是上下电极与铁......