初步设计14xx nm锥形增益区脊形波导量子阱激光器材料和器件结构，利用MOCVD生长14xx nm In—GaAsP／InP量子阱激光器外延片，引入腔破坏......

利用MOCVD生长980nm InGaAs-AlGaAs渐变折射率分别限制异质结单量子阱激光器外延片,采用锥形增益区脊形波导结构制备器件.保持总腔......

高功率14xxnm半导体激光器是光纤Raman放大器的理想泵浦源，它能够提供大功率、宽带输出，而且其动态可调谐，频率稳定性好，成本低。本文......

高功率半导体激光器无论在军事领域还是在民用中都得到广泛的应用。本文首先介绍了量子阱半导体激光器的工作原理,并且从波方程、......

利用MOCVD生长980nm InGaAs-AlGaAs渐变折射率分别限制异质结单量子阱激光器外延片,采用锥形增益区脊形波导结构制备器件.保持总腔......