难熔金属栅相关论文
本文成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的N/O叠层栅介质膜,并将其与W/TiN难熔金属栅电极技术结合起来,成功地制备出高质量的超薄N......
随着晶体管尺寸的缩小,传统的多晶硅栅存在的多晶硅耗尽效应,过高的栅电阻和PMOS管的硼穿通效应成为晶体管尺寸进一步缩小的障碍.......
当多晶硅栅MOSFET's的栅长降低到亚100nm，栅氧厚度降低到2nm以下后，过大的栅隧穿漏电、日益严重的B穿透现象以及多晶硅栅耗尽效应将......
论述了通过优化难熔金属栅电极的溅射工艺及采用适当的退火温度修复损伤来提高3nm栅氧W／TiN叠层栅MOS电容的性能。实验选取了合适的......
