集电区相关论文
本文介绍了注入光敏三极管的基本结构和特性。通过与普通光敏三极管的比较,可以看出注入光敏器件的特征之所在。最后,对注入光敏三......
介绍了ｈｆｅ≥１２０００的两级功率达林顿器件的设计方法及关键技术。并对在１０Ａ比１ｍＡ的条件下实现低饱和压降的几项措施作了较详细的讨论。
The design......
本文对双极器件及ECL电路在低温下的直流、瞬态特性及优化设计等作了较系统的分析,给出了其全温区工作的较为清晰的物理图象.
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在晶体三极管的实验或使用中,不时要涉及到一些晶体三级管共射输入特性曲线的相交。对于为什么会相交这个问题。本文从理论上进行......
简要介绍了异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的发展现状。对ＨＢＴ器件性能进行了理论分析、设计并制作了功率ＨＢＴ器件样品。器件性能达到：ｆ＿Ｔ＝４０ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）＝３２ＧＨｚ，在８ＧＨｚ工作频率下测量，输......
一、晶体三极管的结构晶体三极管由三个区二个PN结构成。因为三极管的二个PN结可有两种组合方式,即NPN型[图1—a]和PNP型[图1—b]......
在等平面Ｓ工艺基础上，开发了一种ＥＣＬ超高速Ｄ触发器的ＩＣ工艺制作技术，并优化其关键工艺，得出一套新的工艺控制方案和参数。用该工艺技术制作的......
叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的工作原理以及一种双台面结构的逆向制造方法
Describes the working principle of the SiGe / Si heter......
本文提出了一个适用于大电流的ＳｉＧｅ基区双极型晶体管（ＳｉＧｅ－ＨＢＴ）的电流和频率特性的解析模型．本模型考虑了速度饱和效应，对ｎ＋ｐｎｎ＋双极型晶体管，当电流超过发......
报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极，工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光电晶体管．用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体......
通过计算机数值计算求解半导体器件方程组，对方片达林顿ＧＴＲ体内的关键参数———轻掺杂集电区宽度进行了临界设计，最大限度地协调了击穿......
应用＂掺杂工程＂和＂带隙工程＂各自的特点，设计了一种独特的基区双向高速输运的ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ层结构，并利用此结构在３μｍ工艺线上做出了性能良好的ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ。其......
对晶体三极管输入特性进行分析,利用电流表、电压表测量,证实当V_(CE)=0V时,集电极比发射极先导通;当V_(CE)>1V时,晶体管处于放大......
给出了从２００～１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释。
The experimental resul......
本文报道一种新开发的与Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）．ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为......
本文对ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）进行了研究．设计并制备了ＡｌＧａＩｎＰ为发射极的叉指结构ＨＢＴ器件．研究结果表明，ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ具有较高的电流增益和较好的温度特性．同时，由于......
本文分析并给出了在无应力及界面态的理想条件下ｎｐｎＳｉ１－ｙＧｅｙ基区ＨＢＴ集电结势垒高度的近似公式，重点推导了集电区穿通时的势垒区宽度的定量计算公式......
采用一维有限差分方法，对生长在Ｓｉ（００１）衬底上的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变基区异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的直流特性进行了数值分析，给出了高斯掺杂情形下，基区中不同Ｇｅ分布的......
在ＳｉＢＪＴＥＭ模型基础上，对其直流参数进行了修正，使其适应于ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ的直流特性：电流增益不是常量和自热效应．计算机模拟值与实测值在中电流和较大电流......
采用二维数值模拟方法详细分析了基区复合电流对 n Si/p Si1- x Gex/n Si应变基区异质结双极晶体管 ( HBT)共射极电流放大系数 β......
用解析的方法模拟了T＝300K和77K时，fT和fmax与集电极电流密度Jc的关系，在大电流下考虑了异质结势垒效应的影响。模拟结果和用数值方法......
给出了常温和低温Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的设计原则，并进行了讨论。指出了低温和室温ＨＢＴ设计上的差异。这些原则可用于优化设计特定要求的Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。
The design pri......
报道一组单片HBTVCO电路的设计、制作及其测试结果。电路采用HBT作为有源器件，PN结二极管作为变容管。S波段单片VCO的输出功率为0dB......
本文分析和计算了基区不同Ge含量的器件在碰撞电离和雪崩击穿效应下的电流和电压特性，结果表明，在其它参数相同的条件下，基区Ge含量越......
五、晶体三极管 1.基本概念晶体三极管是一种具有两个PN结的半导体器件,它又可分为NPN型和PNP型两大类。每一类都分成基区、发射......
2.晶体三极管的主要参数晶体三极管参数是用来表示晶体管特性和范围的,因此选用晶体管时必须了解它的主要参数。晶体三极管主要参......
SiGe／SiHBT作为单片微波集成电路中的有源元件，在截止频率、增益、噪声等方面相对于GaAs器件有很大的优势。本文结合本单位在SiGe材......
本文简要介绍了晶体管的开关特性参数,详尽分析了ts值相差较大的晶体管在电子镇流器中应用时出现的某些问题。
This article brie......
本文对SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个离速SiGe/Si HBT结构和一个低噪声Si......
丰满区地处素有北国江城美誉的吉林省吉林市南部,松花湖,拥松花江,东靠朱雀山,西依磨盘山,环山报水,人杰地灵。是吉林市四个行政区......
UIUC(University of Illinois at Urbana Champaign,伊利诺大学香槟分校)的科学家们再次打破他们自己所保持的最快晶体管的世界纪......
针对VBIC(vertical bipolar inter-company)模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗......
针对典型n+-p-n-n+结构的双极晶体管,从器件内部电场强度、电流密度和温度分布变化的分析出发,研究了在强电磁脉冲(electromagneti......
研究了SOI衬底上SiGe npn异质结晶体管的设计优化.给出了器件基本直流交流特性曲线,分析了与常规SiGeHBT的不同.由于SOI衬底的引入......
逆导型绝缘栅双极型晶体管是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构以及快恢复二极管(FRD)元胞结构集成在同一个芯片上。逆导型IG......
为了获得4H-SiC横向BJT器件高耐压下的高电流增益,文中通过降低漂移区的掺杂浓度(NDRI),使得漂移区内靠近基极方向的电场强度降低,......
新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工。为打......
摘 要：高职院校《电子电路基础》中“晶体三极管及其放大电路”一部分内容是整个教材的重点内容，所以如何设计和安排这一部分教材的......
将SOI技术优势引入SiGe HBT,可满足当前BiCMOS高速低功耗的应用需求.SOI SiGe HBT作为BiCMOS工艺的核心器件,其频率特性决定了电路......
本文通过高校模拟电子电路课程教学中的两个具体实例,探讨如何通过逆向思维或正向推演的方式,及时发现和总结众多知识点之间内在逻......
基于考虑载流子弹道输运等非局域传输瞬态效应的流体动力学模型,数值模拟计算了集电区在上面发射区在下面的倒置InP/GaAsSb/InP双......
