雪崩击穿电压相关论文
设计了一种基于SMIC 0.13μm CIS工艺的单光子飞行时间(TOF)传感器像素结构。针对传统单光子雪崩二极管(SPAD)结构的不足, 采用p阱......
随着科学技术的不断发展,单光子雪崩光电二极管(SPAD)在极弱光探测领域起着不可或缺的作用。但是,在需要同时进行可见光和红外光的......
We examine the saturation of relative current gain of In0.53Ga0.47As/InP single photon avalanche diodes (SPADs) operated......
随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件.MOSFET是电气系统中的基本部......
单光子探测是一种重要的技术,被广泛应用在量子保密通信、量子计算和测量灵敏度需要达到单光子水平的其他领域。对于1310nm和1550n......
研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理，模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明，带有场极的深阱终......
MOSFET是电气系统中的基本部件,想要选出最合适的MOSFET需要深入了解它们的关键特性及指标.讨论如何根据漏源导通电阻RDS(ON)、热......
