采用MBE法制备了不同结构参数及不同阱中掺杂浓度的GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱红外探测器外延材料.通过对量子阱红外探测器材料特......

研究了导带非抛物线性对应变In0.84Ga0.16As／AlAs／In0．52Ga0.48As量子阱红外谱的影响．用8×8k·p理论分析了导带价带混合引起......

采用MBE法制备了不同结构参数及不同阱中掺杂浓度的GaAs／AlxGahAs量子阱红外探测器外延材料。通过对量子阱红外探测器材料特性和器......