高栅压应力相关论文
用反向GD法研究了高栅压应力下的LDD nMOSFET中的损伤情况.发现这种应力下产生电流峰值随着应力时间的增大变小,峰值变小和氧化层......
用反向GD法研究了高栅压应力下的LDD nMOSFET中的损伤情况．发现这种应力下产生电流峰值随着应力时间的增大变小，峰值变小和氧化层中......
