高阶温度补偿相关论文
随着集成电路工艺的发展，在数模混合及模拟集成电路中，设计芯片内部基准电源以及开发单片基准源已成为各个国际模拟电路公司的重点。......
文章设计了一种使用新颖的高阶温度补偿方法的1.2V带隙基准电路。使用0.35μm CMOS工艺的仿真结果表明,本文所设计的电压基准在-40......
基于TSMC 0.18 μm BCD工艺,设计了一种无电阻高精度基准电压源.利用具有高阶温度系数的电流消除VBE温度系数中的非线性项,对输出......
本文基于0．18μm CMOS工艺，设计了一款适用于片上系统SoC的无需晶振的片内12MHz时钟信号产生电路。利用高阶温度补偿方案，该时钟振荡......
介绍了一种基于CSMC 0.5-μm 2P3M n-阱混合信号CMOS工艺的高阶温度补偿的带隙参考源。该CMOS带隙参考源利用了Buck电压转换单元和......
在对传统带隙基准电压源进行理论分析的基础上,结合当前IC设计中对基准电压源低温漂、高电源抑制比的要求,设计了一种超低温漂的带......
为了提高传统带隙基准电压源的温度特性,本文采用一种双差分输入对的运算放大器对传统带隙基准电路进行高阶温度补偿。电路采用TSM......
基准电压源是集成电路的核心模块,被广泛应用在数据转换器、数字存储器、线性稳压器和开关电源中。传统的带隙基准电压源输出电压......
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种高阶温度补偿的带隙基准电压源。采用源极、漏极与栅极短接的PMOS管替代传统基准电压源中的......
本文简要介绍了传统带隙基准电压源的电路结构和存在的局限性,针对提出的带隙基准领域温度补偿技术的相关专利申请,从申请量年代分......
带隙基准源作为电源管理芯片中最基本和关键的单元模块有着不可忽视的地位,而高性能的带隙基准源是研究的重点。所谓高性能的带隙......
带隙基准电压源是模拟集成电路中一个重要的单元,广泛应用于工程实际应用中。BiCMOS工艺是一种结合了Bipolar工艺和CMOS工艺各自优......
本文提出一种高电源抑制比、高阶温度补偿CMOS带隙基准电压源。该基准源的核心电路结构由传统的Brokaw带隙基准源和一个减法器构成......
随着集成电路尺寸的不断减小和半导体制造工艺的迅速发展,为了保证整个系统的优良性能,具有高精度和高电源抑制比的基准电压源几乎......
基准参考源作为模拟集成电路的一个标准的基本模块被广泛应用于多种电路和系统中,为整个系统提供精确的电压或由其转换的高精度电......
本文基于SMIC 0.18μm标准CMOS混合工艺设计了一种适用于锁相环的高阶温度补偿带隙基准电压源,并进行了仿真验证。仿真结果显示,电......
