外加电压对用STM进行钛膜氧化结果的影响

来源 :第四届全国微米/纳米技术学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hjss2008
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我们研究了扫描隧道显微镜(STM)在不同氧化电压下对钛膜氧化结果的影响,并对实验结果作了分析,通过测试证实了不完全氧化钛膜中存在隧道结结构.
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