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与面内磁化的巨磁电阻型多层膜结构(如磁性自旋阀或隧道结等)相比,具有垂直磁各向异性(PMA)的材料能够有效克服因器件单元尺寸减小而导致的边界磁涡旋态及热稳定性差问题,因而在高密度自旋转矩型磁随机存储器(MRAM)中具有良好的应用前景[1].具有垂直各向异性的CoFeB薄膜,由于以其为自由层及参考层的隧道结能够展现出极高的隧道磁电阻值[2],而更受研究人员重视.