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磁场应有和在直接硅单晶的生长系统上（ＭＣＺ）能有效地掏硅熔体之热对流，降低晶体中的氧含量，该文在分析“勾型”磁场分布特点的基础上，制定相庆的拉晶工艺参数，达到控制晶体的氧含量和提高氧的径向分布均匀性的目的。
勾型磁场控氧技术的研究
【摘 要】
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磁场应有和在直接硅单晶的生长系统上（ＭＣＺ）能有效地掏硅熔体之热对流，降低晶体中的氧含量，该文在分析“勾型”磁场分布特点的基础上，制定相庆的拉晶工艺参数，达到控制晶体的氧含量和提
【机 构】
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有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心
【出 处】
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1998年全国半导体硅材料学术会议
【发表日期】
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1998年期
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