【摘 要】
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利用射频磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,主要研究了氧气流量、基底温度、溅射功率和氩气流量等工艺参数对薄膜光电性能的影响,计算了薄膜的品质因数,并根据品质
【机 构】
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上海航天控制技术研究所,上海201109;中国航天科技集团公司红外探测技术研发中心,上海201109北京航空航天大学,北京100191
【出 处】
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2017年光学技术研讨会暨交叉学科论坛
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利用射频磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,主要研究了氧气流量、基底温度、溅射功率和氩气流量等工艺参数对薄膜光电性能的影响,计算了薄膜的品质因数,并根据品质因数优化了薄膜的制备工艺.实验结果表明:当氧气流量为4sccm、基底温度为285℃、溅射功率为1500W、氩气流量为160sccm时所制得的薄膜品质因数最高,平均透过率为81.8％,电阻率为3.12×10-6Ω·m,光电综合性能较好.
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