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本文介绍了单根定向碳纳米管阵列阴极的结构设计与屏蔽效应的模拟。模拟结果表明，对于固定高度h和直径的单根碳纳米管阵列阴极，当碳纳米管之间的间距d满足d≥2h时，电场屏蔽效应趋于最小。考虑到阵列阴极对封装密度的要求，设计CNTs之间的间距约为其高度的两倍左右，此时阴极可以获得最大的发射电流密度。
单根定向碳纳米管阵列的结构设计与屏蔽效应的研究
【摘 要】
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本文介绍了单根定向碳纳米管阵列阴极的结构设计与屏蔽效应的模拟。模拟结果表明，对于固定高度h和直径的单根碳纳米管阵列阴极，当碳纳米管之间的间距d满足d≥2h时，电场屏蔽效应
【机 构】
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北京真空电子技术研究所 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室 北京朝阳区酒仙桥路13号,邮编 100016
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第十七届学术年会暨军用微波管研讨会
【发表日期】
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2009年期
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