论文部分内容阅读
该文分析和报道了高温无制冷激光器的结构及设计考虑，采用ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ材料所开发的应变多量子阱激光器，其垫垒和势阱间的导带偏移为ΔＥ〈，ｃ〉＝０．７２ΔＥ〈，ｇ〉，比ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ材料系的大，所以能有效地阻止高温下载流子的泄露，提高量子效率，从而改善高温特性。所研制的器件（镜面未镀膜）从２５℃变到８５℃时其量子效率变化为０．７４ｄＢ，满足了局域网和用户环路对器件高温性能的要求。