具有偏栅结构的p-GaN FET器件的研制

来源 :第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:m374018
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  作为第三代半导体材料,氮化镓(GaN)在紫外探测方面具有独特的优势。因此,GaN基紫外探测器在民用和军事领域得到了广泛的应用。使用GaN基材料制作的紫外探测器,通过控制其禁带宽度,可以控制器件的响应波段,实现对特定波段的成像。并且GaN基材料对可见光波段没有响应,相对于Si基的紫外器件,可以省去滤光片的使用。
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