硅基BST/LSCO异质结构的制备和电性能研究

来源 :第十二届全国电介质物理、材料与应用学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:linxuekai
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本文利用射频磁控溅射法在Si(001)衬底上制备了(Ba0.8Sr0.2)TiO3/(LB0.5Sr0.5)CoO3(BST/LSCO)异质结构,采用X-射线衍射法(XRD)和原子力显微镜(AFM)分别研究了异质薄膜在氧化物底电极上的结构和BST薄膜表面形貌,并全面调查了异质结构的电性能。研究表明,在所得到的Pt/BST/LSCO铁电电容器结构中BST薄膜的介电常数为977,介电损耗为0.036,在40V直流偏压、100kHz下具有20.2%的可调谐性。薄膜在667 kV/cm的电场强度下的漏电流密度为2.2×10-6A/cm2。
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