【摘 要】
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随着半导体技术的发展,集成电路不断向小型化,高集成度的方向发展,器件的工作电压也越来越低,但是在整机过程中总是会存在不可预料的瞬态电压和浪涌,瞬态电压抑制器(TVS)便是基于PN结原理的一种保护器件.基于TVS二极管低钳位电压,大分流能力,以及电容特性,TVS在大功率防过电(EOS)产品和防静电(ESD)产品上广泛应用.TVS二极管常见的失效有过电应力,晶圆缺陷,封装缺陷,包括的模式主要有过电烧毁
【机 构】
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工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝华东实验室 江苏 苏州215011
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随着半导体技术的发展,集成电路不断向小型化,高集成度的方向发展,器件的工作电压也越来越低,但是在整机过程中总是会存在不可预料的瞬态电压和浪涌,瞬态电压抑制器(TVS)便是基于PN结原理的一种保护器件.基于TVS二极管低钳位电压,大分流能力,以及电容特性,TVS在大功率防过电(EOS)产品和防静电(ESD)产品上广泛应用.TVS二极管常见的失效有过电应力,晶圆缺陷,封装缺陷,包括的模式主要有过电烧毁、芯片注入损伤、虚焊、弹坑等.只有通过合理选型,并在晶圆制造和封装端严苛把控,不断优化工艺才能确保TVS的可靠性.
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