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该文报道作者能小批量生产的高速铌酸锂强度调制器的设计原则及性能特性，工作波长：１．３ｕｍ或１．５５ｕｍ，插入损耗（带尾纤）〈４．５ｄＢ，消光比〉２５ｄＢ，调制半波电压小于４Ｖ或５Ｖ，偏置半波电压〈１０Ｖ，带宽：５ＧＨｚ，光反射损耗〉４０ｄＢ，光纤接头：ＦＣ，工作温度范围：－４０～７０℃。
实用化铌酸锂强度调制器
【摘 要】
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该文报道作者能小批量生产的高速铌酸锂强度调制器的设计原则及性能特性，工作波长：１．３ｕｍ或１．５５ｕｍ，插入损耗（带尾纤）〈４．５ｄＢ，消光比〉２５ｄＢ，调制半波电压小于４Ｖ或５Ｖ，偏置半波电压〈１０Ｖ，带宽：５ＧＨｚ，光反射损耗〉４０ｄＢ，光纤接头：ＦＣ，工作
【机 构】
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工业部44所14室(重庆)
【出 处】
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全国第8次光纤通信暨第9届集成光学学术会议
【发表日期】
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1997年期
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