【摘 要】
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室温下，利用射频磁控溅射技术在 p 型硅衬底和玻璃衬底上，不同氧分压下制备了厚度约为200nm 的铟锡锌氧化物(ITZO)薄膜，利用椭圆偏振光谱技术［1］表征了 ITZO 薄膜的光学特性，通过霍尔测试表征了 ITZO 薄膜的电学特性(如图 1 示)，通过对 比研究了溅射过程中氧分压的不同对 ITZO 薄膜结构和光电性能的影响。
【机 构】
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山东大学空间科学与物理学院,威海,264209
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室温下，利用射频磁控溅射技术在 p 型<100>硅衬底和玻璃衬底上，不同氧分压下制备了厚度约为200nm 的铟锡锌氧化物(ITZO)薄膜，利用椭圆偏振光谱技术［1］表征了 ITZO 薄膜的光学特性，通过霍尔测试表征了 ITZO 薄膜的电学特性(如图 1 示)，通过对 比研究了溅射过程中氧分压的不同对 ITZO 薄膜结构和光电性能的影响。
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