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介绍国际上SiC MOSFETs、SiC IGBT和SiC晶闸管器件的研究和产业化最新进展,将重点介绍本实验室在SiC开关器件方面的研究成果,讨论相关器件的技术难点、面临的问题以及应用前景.
SiC MOSFETs、IGBT和晶闸管的研究进展
【摘 要】
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介绍国际上SiC MOSFETs、SiC IGBT和SiC晶闸管器件的研究和产业化最新进展,将重点介绍本实验室在SiC开关器件方面的研究成果,讨论相关器件的技术难点、面临的问题以及应用前景.
【机 构】
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西安交通大学半导体能源转换器件研究中心,西安,710049
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
【发表日期】
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2015年1期
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