【摘 要】
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Despite continuous progress of blue InGaN/GaN multiple-quantum well (MQW) light-emitting diodes (LED),many physical mechanisms lie still under the debate within the research community.Among them,under
【机 构】
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National Institute of LED on Si Substrate,Nanchang University,235 Nan Jing East Road,Nanchang,China
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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Despite continuous progress of blue InGaN/GaN multiple-quantum well (MQW) light-emitting diodes (LED),many physical mechanisms lie still under the debate within the research community.Among them,understanding the role of Ⅴ-shaped pits,which are the inverted hexagonal pits embedded in MQW structures,is a very important issue and thus requires further investigation.Le et al.reported that the Ⅴ-shaped pits significantly deteriorate the performance of InGaN/GaN LEDs [1].On the contrary,it was reported that the Ⅴ-shaped pits can decrease the reverse leakage current of LED [2].
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