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体材料带间跃迁和量子阱子带间跃迁，是目前红外探测器常采用的两种工作机制.而基于低维半导体材料带间跃迁工作机制的探测器，一直以来被认为不具有制备高性能器件的可能性.主要原因在于：1 光生载流子克服量子阱势垒限制，将损失量子效率；2.势阱的有限宽度，难于满足高效光吸收.近期中国科学院物理研究所在实验中观察到了PN 结中受限光生载流子高效抽取及其导致的吸收增强现象，使得有望成功制备基于量子阱带间跃迁的高效率、低噪声、低成本红外探测器.为验证上述思路，物理所制备了GaAs 基和GaSb 基的量子阱带间跃迁红外探测器的原型器件，验证了器件工作的可能性.相关研究已申请中、美、日发明专利各一项.