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(Ⅲ)InP衬底的生长工艺受到人们的广泛关注.相比于(100)InP,(Ⅲ)衬底上生长的多重子阱激光器具有更低的阈值电流、更强的量子限制Stark效应和更大的内建压电场引起的非线性效应.
(lll)A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性
【摘 要】
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(Ⅲ)InP衬底的生长工艺受到人们的广泛关注.相比于(100)InP,(Ⅲ)衬底上生长的多重子阱激光器具有更低的阈值电流、更强的量子限制Stark效应和更大的内建压电场引起的非线性效
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室(中国北京)
【出 处】
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中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2003年期
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