【摘 要】
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晶格匹配的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具有工作频率高、电流密度大等优势,在微波和毫米波应用领域有着巨大的应用前景.目前报道的高频率GaN基HEMT多数是采用InAlN/Ga
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室,石家庄 050051
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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晶格匹配的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具有工作频率高、电流密度大等优势,在微波和毫米波应用领域有着巨大的应用前景.目前报道的高频率GaN基HEMT多数是采用InAlN/GaN器件,但是并没有InAlN/GaN功率放大器的报道.这主要受制于InAlN/GaN HEMT栅漏电大、击穿电压低的瓶颈.首次成功研制了W波段InAlN/GaN MMIC功率放大器.基于上述器件的直流数据与小信号数据，建立了应用于W波段MMIC功率放大器设计的器件模型。模型考虑了器件的栅漏电效应，实现了更高的拟合精度。电路采用的是1-2-4的级联结构，单胞器件尺寸为4×35μm，末级总栅宽为560μm。
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