【摘 要】
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采用扫描电子显微镜(SEM)和光学显微镜(OM)等分析方法，研究了热处理前后铸造多晶硅片的缺陷形貌。实验结果表明：原生铸造多晶硅中存在着大量的位错和晶界。单步、两步热处理对硅片表面位错形貌有很大的影响。低温退火时，位错尺寸很大，但位错密度较小；随着退火温度的升高，位错尺寸减小，但位错密度增大。两步退火温度下，随着退火温度的升高，硅片体内的缺陷密度增大。
【机 构】
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河北工业大学 材料学院信息功能材料研究所,天津 300130
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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采用扫描电子显微镜(SEM)和光学显微镜(OM)等分析方法，研究了热处理前后铸造多晶硅片的缺陷形貌。实验结果表明：原生铸造多晶硅中存在着大量的位错和晶界。单步、两步热处理对硅片表面位错形貌有很大的影响。低温退火时，位错尺寸很大，但位错密度较小；随着退火温度的升高，位错尺寸减小，但位错密度增大。两步退火温度下，随着退火温度的升高，硅片体内的缺陷密度增大。
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