【摘 要】
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本文对AlGaN/GaN HEMT进行了系统的直流和脉冲Ⅰ-Ⅴ测试,观察到在不同测试方法下跨导线性度存在明显的差异。基于该实验现象，提出了栅下势垒层区域中的类受主态陷阱是造成AlGaN/GaN HEMTs跨导非线性的原因。建立了一个基于陷阱充放电的物理模型，通过二维数值仿真，该模型得以验证。仿真计算表明，当栅下类受主陷阱浓度为1.2×1019 cm-3且其能级深度为导带下0.5eV时，仿真所得器件
【机 构】
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电子科技大学 微电子与固体电子学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054 专用集成电
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本文对AlGaN/GaN HEMT进行了系统的直流和脉冲Ⅰ-Ⅴ测试,观察到在不同测试方法下跨导线性度存在明显的差异。基于该实验现象，提出了栅下势垒层区域中的类受主态陷阱是造成AlGaN/GaN HEMTs跨导非线性的原因。建立了一个基于陷阱充放电的物理模型，通过二维数值仿真，该模型得以验证。仿真计算表明，当栅下类受主陷阱浓度为1.2×1019 cm-3且其能级深度为导带下0.5eV时，仿真所得器件跨导的非线性特征与实验数据相一致。
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