【摘 要】
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集成电路(IC)的成品率研究一直是可制造工程和设计研究的主要内容之一.随着超深亚微米VLSI技术的发展,而由工艺扰动引起的参数成率降低更为明显.本文首先系统地讨论了参数成品率的各种模型和方法,分别分析了它们的优势和局限性.最后指出了在超深亚微米(VDSM)时期参数成品率面临的主要问题和挑战.
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所(西安) 西安电子科技大学微电子研究所(西安);西安电子科技大学通信工
【出 处】
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中国电子学会电路与系统学会第十八届年会
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集成电路(IC)的成品率研究一直是可制造工程和设计研究的主要内容之一.随着超深亚微米VLSI技术的发展,而由工艺扰动引起的参数成率降低更为明显.本文首先系统地讨论了参数成品率的各种模型和方法,分别分析了它们的优势和局限性.最后指出了在超深亚微米(VDSM)时期参数成品率面临的主要问题和挑战.
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