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用射频磁控溅射法在SrTiO<,3>衬底上外延生长PLZT薄膜,研究了不同的溅射工艺对薄膜生长速率的影响,探讨了不同的后期热处理条件与薄膜取向度的关系.在SrTiO<,3>衬底上成功制备出外延生长的、厚度达1.5μm的PLZT薄膜.
SrTiO衬底上溅射法外延生长PLZT薄膜
【摘 要】
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用射频磁控溅射法在SrTiO衬底上外延生长PLZT薄膜,研究了不同的溅射工艺对薄膜生长速率的影响,探讨了不同的后期热处理条件与薄膜取向度的关系.在SrTiO衬底上成功制备出外延生长的、厚度达1.5μm的PLZT薄膜.
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室(上海)
【出 处】
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第五届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
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2004年10期
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