低成本衬底上快热CVD法制备晶体硅薄膜电池

来源 :中国第七届光伏会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ash0

【摘要】

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以RTCVD方法在低成本衬底—颗粒硅带(SSP)上制备了外延晶体硅薄膜电池.在20×20mm上得到的最高转换效率为7.4﹪,开路电压488mV,短路电流21.91mA/cm,填充因子0.697.外延晶体硅薄

【作者】

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梁宗存[1]中山大学物理系(广州)[2]沈辉[1]胡芸菲;许宁生;

【机构】

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中国科学院广州能源研究所(广州)

【出处】

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中国第七届光伏会议

【发表日期】

：

2002年期

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以RTCVD方法在低成本衬底—颗粒硅带(SSP)上制备了外延晶体硅薄膜电池.在20×20mm<2>上得到的最高转换效率为7.4﹪,开路电压488mV,短路电流21.91mA/cm<2>,填充因子0.697.外延晶体硅薄膜电池暗特性表明:晶体硅薄膜电池具有较高的饱和暗电流I<,02>和片并联阻R<,p>.外部量子效率(EQE)和内部量子效率(IQE)表明载流子收集率在长波方向比较低,量子效率最大值的波长范围大约在500nm.

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