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Heterogeneous integration of Lattice-mismatched Materials on Si for 1.55μm Optical Communications Ap
【出 处】
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第六届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2001年6期
其他文献
本文介绍了在改造过的国产MBE设备上使用NH作氮源,采用GS MBE分法在(00001)AlO衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜.
我们用MBE生长了低组分InGaAs/GaAs量子点(x=0.3和0.5),反射高能电子衍射仪(RHEED)显示了良好的2×4再构向三维生长的点状图象转化的过程.同时,原子力显微镜(AFM)实验表明,确实形成了低组分InGaAs/GaAs量子点,其点密度在10数量级范围内.
本文报导了用固态源分子束外延生长的脊波导2μm AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器.
本文报道了对GaAs基InAlAs量子点材料的MBE生长和材料物理性质的研究结果,以及在此基础上研制的红光量子点激光器的工作.
采用MBE生长技术,在半绝缘GaAs衬底上生长了大失配的InGaAs/InAlAs MM-HEMT材料.对其进行了透射电镜(TEM)、PL谱以及Shhubnikov-de Hass(SdH)振荡测试,并通过有限差分法自恰求解薛定谔方程的泊松方程,给出了材料的导带结构、费米能级和量子阱中的子带波函数,完成了PL谱中峰的指认工作.
制作高性能HBT的关键之一是获得界面质量优良的半导体超薄异质结构材料,分子束外延是生长HBT微结构材料的最先进技术之一.本文报道了GSMBE技术生长InGaP/GaAs HBT微结构材料及其原型器件研究.
Highly Dense Nanometer-Sized InGaAs Ridge Quantum wire Arrays Directly Grown by Selective MBE on Pat
会议
GaAs是PHEMT材料的有源区是由应变InGaAs层构成,其沟道中电子的平均饱和速度和电子浓度均随铟组份的变化而变化,然后,随着铟组份的提高,会引起器件性能的退化.本文使用LT-GaAs层作为器件的缓冲层,并且优化了应变InGaAs沟道的生长条件,生长出性能良好的PHEMT材料和HFET材料.