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P型纳米硅对不锈钢衬底非晶硅电池性能的影响

来源 :第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户：VIPT250

【摘 要】

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本文报道纳米硅P层对n-i-p型非晶硅(a-Si:H)电池性能特别是开路电压(Voc)的影响。Raman散射和透射电镜(TEM)分析表明，这种P层是复相结构材料，由尺寸3-5nm 的纳米晶粒镶嵌于非晶

【作 者】

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廖显伯[1]向贤碧[1]WenhuiDu[2]XieshenYang[2]HenryPovolny[2]XunmingDeng[2] 

【机 构】

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中科院半导体所

【出 处】

：

第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

【发表日期】

：

2004年期

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本文报道纳米硅P层对n-i-p型非晶硅(a-Si:H)电池性能特别是开路电压(Voc)的影响。Raman散射和透射电镜(TEM)分析表明，这种P层是复相结构材料，由尺寸3-5nm 的纳米晶粒镶嵌于非晶硅网络中构成。光学透视测量表明，由于量子尺寸效应，纳米硅P层具有宽的能带隙（1.96 eV）。利用这种P 层，n-i-p a-Si:H太阳能电池的性能得到改善，其Voc达到1.042V, 而利用微晶硅P层，在其它制备条件不变的情况下，a-Si:H太阳能电池的Voc只有0.526V.

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