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本文在研究SiGe CMOS器件结构基础上,模拟分析了器件输出特性、跨导管主要电参数与器件几何结构参数、材料物理参数的关系.根据模拟结果,分析讨论了应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组份及Si"帽"层厚度等结构参数对nMOS、pMOS特性的影响.
SiGe CMOS研究
【摘 要】
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本文在研究SiGe CMOS器件结构基础上,模拟分析了器件输出特性、跨导管主要电参数与器件几何结构参数、材料物理参数的关系.根据模拟结果,分析讨论了应变SiGe层、弛豫SiGe层中
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所(西安)
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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2003年期
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