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本工作对比研究了蓝宝石图形衬底(PSS)和平面衬底(non-PSS)上制备GaN基45mil功率型LED芯片的光电特性。相比较平面衬底，在PSS衬底上制备的大功率芯片的发光效率提升41.0％。在PSS上制备的大功率芯片，封装后在350mA电流驱动下光效达到85lm/W。另外PSS制备的大功率芯片具有良好的可靠性和稳定性，350mA和700mA下老化1000hr光衰分别为-0.4％和2.8％。并成功解决了产业化的关键技术。